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一種中空納米槽型膜電極的制備方法及其應(yīng)用

2023-02-07 11:21:54 來源:互聯(lián)網(wǎng)


(資料圖)

1、 《一種中空納米槽型膜電極的制備方法及其應(yīng)用》是中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所于2019年12月14日申請(qǐng)的專利,該專利公布號(hào)為CN112993349A,專利公布日為2021年6月18日,發(fā)明人是侯明、齊滿滿、秦曉平、張洪杰、邵志剛。

2、 。

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標(biāo)簽: 制備方法 化學(xué)物理 中國科學(xué)院

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